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發(fā)布時間: 2024-08-12
產(chǎn)品型號: gdat-c
廠商性質(zhì): 生產(chǎn)廠家
所 在 地: 北京市海淀區(qū)上地科技園上地十街1號
產(chǎn)品特點: 介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗儀滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀用于科研機關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對無機非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。
滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
主要技術(shù)特性
電感測量范圍 4.5nH ~ 140mH
電容直接測量范圍 1 ~ 200pF
主電容調(diào)節(jié)范圍 18 ~ 220pF
主電容調(diào)節(jié)準(zhǔn)確度 100pF 以下 ± 1pF ; 100pF 以上 ± 1 %
信號源頻率覆蓋范圍 100kHz ~ 160MHz
頻率分段 ( 虛擬 ) 100 ~ 999.999kHz , 1 ~ 9.99999MHz,10 ~ 99.9999MHz , 100 ~ 160MHz
Q 值測量范圍 2 ~ 1023 ,
量程分檔: 30 、 100 、 300 、 1000 ,自動換檔或手動換檔
固有誤差 ≤ 5 % ± 滿度值的 2 %( 200kHz ~ 10MHz ), ≤6% ± 滿度值的2%(10MHz~160MHz)
工作誤差 ≤7% ± 滿度值的2% ( 200kHz ~ 10MHz ), ≤8% ± 滿度值的2%(10MHz~160MHz)
頻率指示誤差 3 × 10 -5 ± 1 個字
概述
BD916介質(zhì)損耗測試裝置與本公司生產(chǎn)的各款高頻Q表配套,可用于測量絕緣材料的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗系數(shù)(損耗角正切值)。
BD916介質(zhì)損耗測試裝置是BD916914的換代產(chǎn)品,它采用了數(shù)顯微測量裝置,因而讀數(shù)方便,數(shù)據(jù)精確。
測試裝置由一個LCD數(shù)字顯示微測量裝置和一對間距可調(diào)的平板電容器極片組成。
平板電容器極片用于夾持被測材料樣品,微測量裝置則顯示被測材料樣品的厚度。
BD916介質(zhì)損耗測試裝置須配用Q表作為調(diào)諧指示儀器,通過被測材料樣品放進平板電容器和不放進樣品時的Q值變化,測得絕緣材料的損耗角正切值。
從平板電容器平板間距的讀值變化則可換算得到絕緣材料介電常數(shù)。
BD916介質(zhì)損耗測試裝置技術(shù)特性
平板電容器: 極片尺寸:Φ50mm/Φ38mm 可選
極片間距可調(diào)范圍:≥15mm
2. 夾具插頭間距:25mm±0.01mm
3. 夾具損耗正切值≤4×10-4 (1MHz)
4.測微桿分辨率:0.001mm
本儀器測試儀方法如下:
儀器的測試準(zhǔn)備工作
先要詳細(xì)了解配用Q表的使用方法,操作時,要避免人體感應(yīng)的影響。
a. 把配用的Q表主調(diào)諧電容置于較小電容量。
b. 把本測試裝置上的夾具插頭插入到Q 表測試回路的“電容”兩個端子上。
c. 配上和測試頻率相適應(yīng)的高Q值電感線圈(本公司 Q表配套使用的LKI-1電感組能滿足要求), 如:1MHz 時電感取250uH,15MHz時電感取1.5uH。
d. 短按ON/OFF按鍵,打開液晶顯示屏。
e. 調(diào)節(jié)平板電容器測微桿,使平板電容器二極片相接為止,長按SET按鍵將初始值設(shè)置為0。
4.介電常數(shù)Σ的測試
a. 再松開二極片,把被測樣品插入二極片之間,調(diào)節(jié)平板電容器,到二極片夾住樣品止(注意調(diào)節(jié)時要用測微桿,以免夾得過緊或過松),這時能讀取的測試裝置液晶顯示屏上的數(shù)值,既是樣品的厚度D2。改變Q 表上的主調(diào)電容容量,使Q 表處于諧振點上。
b. 取出平板電容器中的樣品,這時Q 表又失諧,此時調(diào)節(jié)平板電容器,使Q 表再回到諧振點上,讀取測試裝置液晶顯示屏上的數(shù)值記為D4
c. 計算被測樣品的介電常數(shù):
Σ=D2 / D4
5.介質(zhì)損耗系數(shù)的測試
a. 重新把測試裝置上的夾具插頭插入到Q 表測試回路的“電容”兩個端上。把被測樣品插入二極片之間,改變Q 表上的主調(diào)電容容量,使Q 表處于諧振點上,讀得Q 值,記為Q2。電容讀數(shù)記為C2。
b. 取出平板電容器中的樣品,這時Q 表又失諧,再改變Q 表上的主調(diào)電容容量,使Q 表重新處于諧振點上。讀得Q 值,記為Q1。電容讀數(shù)記為C1。
c. 然后取下測試裝置,再改變Q 表上的主調(diào)電容容量,重新使之諧振,電容讀數(shù)記為C3,此時可計算得到測試裝置的電容為CZ = C3 -C1
d. 計算被測樣品的介質(zhì)損耗系數(shù)公式如下:
式中:CZ 為測試裝置的電容(平板電容器二極片間距為樣品的厚度D2)C0 為測試電感的分布電容(參考LKI-1 電感組的分布電容值)