介電常數(shù)測(cè)試儀主要特點(diǎn)：空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板，薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測(cè)。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會(huì)造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測(cè)量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測(cè)值偏低,。 

介電常數(shù)測(cè)試儀特點(diǎn)： 

◎ 本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值保持技術(shù)，使測(cè)Q分辨率至0.1Q，使tanδ分辨率至0.00005 。

◎ 能對(duì)固體絕緣材料在10kHz～120MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。

◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH，保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。

◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù)：Q值，測(cè)試頻率，調(diào)諧狀態(tài)等。

◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。

◎ DPLL合成發(fā)生1kHz～60MHz, 50kHz～160MHz測(cè)試信號(hào)。獨(dú)立信號(hào)   源輸出口，所以本機(jī)又是一臺(tái)合成信號(hào)源。

◎ 測(cè)試裝置符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

介電常數(shù)測(cè)試儀儀器技術(shù)指標(biāo)：

Q值測(cè)量：

a．Q值測(cè)量范圍：5～999。

b．Q值量程分檔：30、100、300、999、自動(dòng)換檔。

c．標(biāo)稱誤差

頻率范圍：25kHz～10MHz； 

固有誤差：≤5％±

滿度值的2％；

工作誤差：≤7％±滿度值的2％；

頻率范圍：10MHz～50MHz；

 固有誤差：≤7％±滿度值的2％；

工作誤差：≤10％±滿度值的2％。

振蕩頻率：

a．振蕩頻率范圍：

25kHz～50MHz；

b．頻率分檔

25～74kHz，

 74～213kHz，

 213-700kHz，

 700kHz～1.95MHz，

1.95MHz～5.2MHz，

 5.2MHz～17MHz，

 17～50MHz。

電感測(cè)量：

a．測(cè)量范圍：0.1μH～1H。

b．分 檔：分七個(gè)量程。

0.1～1μH，

1～10μH，

10～100μH， 

0.1～lmH，

1～10mH， 

10～100mH，

100 mH～1H。

電容測(cè)量：

a．測(cè)量范圍：1～460pF(460pF以上的電容測(cè)量見使用規(guī)則)；

b．電容量調(diào)節(jié)范圍

主調(diào)電容器：40～500pF； 

準(zhǔn) 確 度：150pF以下±1.5pF；150pF以上±1％；

微調(diào)電容量：－3pF～0～＋3pF； 準(zhǔn) 確 度：±0.2pF。

介電常數(shù)測(cè)試儀主要技術(shù)指標(biāo)：

2.1 tanδ和ε性能：

2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率10kHz～120MHz的tanδ和ε變化的測(cè)試。

2.1.2 tanδ和ε測(cè)量范圍：

tanδ：0.1～0.00005，ε：1～50

2.1.3 tanδ和ε測(cè)量精度（1MHz）：

tanδ：±5%±0.00005，ε：±2%

工作頻率范圍：50kHz～50MHz    四位數(shù)顯，壓控振蕩器

Q值測(cè)量范圍：1～1000三位數(shù)顯，±1Q分辨率

可調(diào)電容范圍：40～500 pF  ΔC±3pF

電容測(cè)量誤差：±1%±1pF

Q表殘余電感值：約20nH

介電常數(shù)測(cè)試儀工作頻率范圍是10kHz～120MHz,它能完成工作頻率內(nèi)材料的高頻介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。

本儀器中測(cè)試裝置是由平板電容器和測(cè)微圓筒線性電容器組成，平板電容器一般用來夾被測(cè)樣品，配用Q表作為指示儀器。

絕緣材料的損耗角正切值是通過被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過公式計(jì)算得到。

同樣，由測(cè)微圓筒線性電容器的電容量讀數(shù)變化，通過公式計(jì)算得到介電常數(shù)。